КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Закусило Т.М.

Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Виконала: студентка IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Закусило Т.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

Анотація

Дана курсова робота ознайомлює з роботою інжекційних лазерів на гетеропереходах. Було розраховано параметри напівпровідникового лазера на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазера з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС), зокрема: повздовжнє кутове розходження, поперечне кутове розходження, пороговий струм накачування та коефіцієнт корисної дії (ККД). Повздовжнє кутове розходження становить та , тоді як поперечне кутове розходження – та для ПГС і РО ПГС лазерів відповідно. Величина порогового струму накачування дорівнює 82мА для ПГС лазера та 5.22 мА для РО ПГС лазера. ККД ПГС лазера рівний 0.195, що є меншим за ККД РО ПГС лазера, який становить 0.322. Отже, РО ПГС лазер має значно кращі характеристики у порівнянні зі смужковим ПГС лазером.

Київ 2015