КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Темченко К.В.

Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Темченко К.В.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

Анотація

Напівпровідникові лазери мають відмінні від інших типів лазерів властивості, які сприяли їх масовому застосовуванню. В даній роботі було проведено розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів: лазера на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазера з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС). В результаті отримано характеристики спектру випромінювання, порогову густину струму та ККД лазерів. Отримані значення характеристик для ПГС та РО ПГС лазерів доводять, що використання РО ПГС лазера є більш ефективним. Наведені висновки співпадають з експериментальними результатами. Роль квантових приладів та систем невпинно росте, що доводить необхідність застосування лазерів в різних галузях науки і техніки.

Київ 2015