Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Темченко К.В.



Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Темченко К.В.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

Напівпровідникові лазери мають відмінні від інших типів лазерів властивості, які сприяли їх масовому застосовуванню. В даній роботі було проведено розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів: лазера на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазера з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС). В результаті отримано характеристики спектру випромінювання, порогову густину струму та ККД лазерів. Отримані значення характеристик для ПГС та РО ПГС лазерів доводять, що використання РО ПГС лазера є більш ефективним. Наведені висновки співпадають з експериментальними результатами. Роль квантових приладів та систем невпинно росте, що доводить необхідність застосування лазерів в різних галузях науки і техніки.

 

Київ 2015

stasbeh February 03 2016 1012 прочитання Друк