Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Косячкін Є.М.



Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Косячкін Є.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В ході даної роботи було проведено дослідження та порівняння двох напівпровідникових інжекційних лазерів на подвійній гетероствуктурі AlGaAs/GaAs/AlGaAs. Розглянуті смужковий інжекційний лазер на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазер з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС). Якісною відмінністю другого від першого є те, що в робочій зоні РО ПГС лазера при його створенні виникає квантоворозмірна структура (квантова яма), що обмежує носії заряду в одному напрямку й відбувається квантування енергії. Основними вимогами для лазерів є легка можливість створення робочого стану (інверсної населеності), що визначається пороговою щільністю струму накачки, та вихідні характеристики (потужність, спрямованість променя, ККД). Результати розрахунків в цій роботі показують, що перевагу ( за всіма розглянутими параметрами цих лазерів) здобуває РО ПГС лазер, що свідчить про доцільність використання квантових технологій при побудові напівпровідникових лазерів, адже такі лазери значно ефективніші за ПГС лазери.

 

Київ 2015

stasbeh February 03 2016 1427 прочитання Друк