Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Попович М.В.



Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Попович М.В.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В даній роботі досліджено та розраховано параметри інжекційних лазерів на подвійній гетероструктурі Alx1Ga1-x1As/ GaAs/ Alx2Ga1-x2As. В якості активної області використовується напівпровідник GaAs. Також для порівняння розраховуємо параметри подвійної гетероструктури з квантово-розмірною активною областю для РО ПГС лазера на напівпровідникових з'єднаннях А3В5. Дальше порівнюємо знайдені характеристики РО ПГС лазера та смужкового ПГС лазера. Отже, ми переконались, що особливості природи, а саме квантова природа матерії на малих масштабах, дає широкі можливості для вдосконалення існуючих приладів, то конструювання принципово нови̍х, на унікальних явищах, пов’язаних з квантовими ефектами в низько-розмірних структурах.

 

Київ 2015

stasbeh February 03 2016 964 прочитання Друк