Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Мистрікова О.В.



Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконала: студентка IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Мистрікова О.В.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В даній курсовій роботі досліджено ефективність використання напівпровідникових смужкового ПГС та РО ПГС лазерів. Проведено відповідні розрахунки основних параметрів, які дають змогу кількісно оцінити найважливіші характеристики порівнюваних лазерів та зробити висновок про доцільність їх використання з метою перетворення енергії накачування в енергію когерентного, монохроматичного, поляризованого та вузько напрямленого потоку випромінювання. З урахуванням поширеності використання напівпровідникових лазерів в різних сферах, проведений аналіз є корисним і дає можливість, на прикладі РО ПГС лазера, аргументовано говорити про важливість вивчення квантових явищ для подальшого розвитку лазерної техніки.

 

Київ 2015

stasbeh February 03 2016 991 прочитання Друк