Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Кучкін В.М.



Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика Кучкін В.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В даній роботі досліджено характеристики інжекційних лазерів на подвійній гетероструктурі. Головною особливістю таких лазерів є використання напівпровідникових матеріалів в якості активної речовини. Як відомо, для таких лазерів характерні високі ККД. В роботі досліджуються гетереструктура Alx1Ga1-x1As/GaAs/ Alx2Ga1-x2As, яка може бути використана для створення лазерів. В першій частині роботи розраховуються параметри гетеропереходу та характеристики лазерного випромінювання для даної гетероструктури. В другій частині роботи розглядається квантова яма, створена за рахунок тонкого слою GaAs. Для цього випадку також будуються відповідні діаграми та розраховуються параметри лазерного випромінювання. Останній етап це порівняння двох типів структур на можливість створення більш ефективного лазера. Одними із ключових характеристик тут є робоча густина струму та КПД.

 

Київ 2015

stasbeh February 03 2016 1311 прочитання Друк