Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Закусило Т.М.



Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконала: студентка IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Закусило Т.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

Дана курсова робота ознайомлює з роботою інжекційних лазерів на гетеропереходах. Було розраховано параметри напівпровідникового лазера на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазера з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС), зокрема: повздовжнє кутове розходження, поперечне кутове розходження, пороговий струм накачування та коефіцієнт корисної дії (ККД). Повздовжнє кутове розходження становить та , тоді як поперечне кутове розходження – та для ПГС і РО ПГС лазерів відповідно. Величина порогового струму накачування дорівнює 82мА для ПГС лазера та 5.22 мА для РО ПГС лазера. ККД ПГС лазера рівний 0.195, що є меншим за ККД РО ПГС лазера, який становить 0.322. Отже, РО ПГС лазер має значно кращі характеристики у порівнянні зі смужковим ПГС лазером.

 

Київ 2015

stasbeh January 21 2016 1208 прочитання Друк