Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.

Статті

Комп’ютерне моделювання процесів росту тонких напівпровідникових плівок 

Комп’ютерне моделювання процесів росту тонких напівпровідникових плівок  Науковий керівник: Гільчук А.В.

Комп’ютерне моделювання процесів росту тонких напівпровідникових плівок 
Науковий керівник: Гільчук А.В. (Сіряк Тетяна - ФФ-93)
Літературний огляд про механізми росту тонких напівпровідникових плівок (GaAs, GaN…), процеси, реагенти, реактори та підходи до моделювання
Розрахунок властивостей реагуючих газів – бінарні коефіцієнти дифузії, коефіцієнти термодифузії, в’язкість, теплопровідність, теплоємність
Побудова спрощеної моделі реактору для напилення тонких плівок. Модель включатиме: ламінарний потік, теплообмін, дифузію, хімічні реакції в об’ємі, поверхневі хімічні реакції
Верифікувати модель на наявних літературних даних
Проаналізувати ключові фактори, які впливають на рівномірність товщини плівки. Запропонувати набір параметрів, що забезпечують найкращу рівномірність.

Barbara November 10 2022 398 прочитання Друк