Комп’ютерне моделювання процесів росту тонких напівпровідникових плівок  Науковий керівник: Гільчук А.В.

Комп’ютерне моделювання процесів росту тонких напівпровідникових плівок 
Науковий керівник: Гільчук А.В. (Сіряк Тетяна - ФФ-93)
Літературний огляд про механізми росту тонких напівпровідникових плівок (GaAs, GaN…), процеси, реагенти, реактори та підходи до моделювання
Розрахунок властивостей реагуючих газів – бінарні коефіцієнти дифузії, коефіцієнти термодифузії, в’язкість, теплопровідність, теплоємність
Побудова спрощеної моделі реактору для напилення тонких плівок. Модель включатиме: ламінарний потік, теплообмін, дифузію, хімічні реакції в об’ємі, поверхневі хімічні реакції
Верифікувати модель на наявних літературних даних
Проаналізувати ключові фактори, які впливають на рівномірність товщини плівки. Запропонувати набір параметрів, що забезпечують найкращу рівномірність.