Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Косячкін Є.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

Анотація

В ході даної роботи було проведено дослідження та порівняння двох напівпровідникових інжекційних лазерів на подвійній гетероствуктурі AlGaAs/GaAs/AlGaAs. Розглянуті смужковий інжекційний лазер на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазер з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС). Якісною відмінністю другого від першого є те, що в робочій зоні РО ПГС лазера при його створенні виникає квантоворозмірна структура (квантова яма), що обмежує носії заряду в одному напрямку й відбувається квантування енергії. Основними вимогами для лазерів є легка можливість створення робочого стану (інверсної населеності), що визначається пороговою щільністю струму накачки, та вихідні характеристики (потужність, спрямованість променя, ККД). Результати розрахунків в цій роботі показують, що перевагу ( за всіма розглянутими параметрами цих лазерів) здобуває РО ПГС лазер, що свідчить про доцільність використання квантових технологій при побудові напівпровідникових лазерів, адже такі лазери значно ефективніші за ПГС лазери.

Київ 2015