Національний технічний університет України
"Київський політехнічний інститут"
Кафедра прикладної фізики
КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки
на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»
Виконав: студент IV курсу групи ФФ21
напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Попович М.В.
Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.
Анотація
В даній роботі досліджено та розраховано параметри інжекційних лазерів на подвійній гетероструктурі Alx1Ga1-x1As/ GaAs/ Alx2Ga1-x2As. В якості активної області використовується напівпровідник GaAs. Також для порівняння розраховуємо параметри подвійної гетероструктури з квантово-розмірною активною областю для РО ПГС лазера на напівпровідникових з'єднаннях А3В5. Дальше порівнюємо знайдені характеристики РО ПГС лазера та смужкового ПГС лазера. Отже, ми переконались, що особливості природи, а саме квантова природа матерії на малих масштабах, дає широкі можливості для вдосконалення існуючих приладів, то конструювання принципово нови̍х, на унікальних явищах, пов’язаних з квантовими ефектами в низько-розмірних структурах.
Київ 2015