Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів
Надіслано: stasbeh February 03 2016 20:19:48

Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконала: студентка IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Мистрікова О.В.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В даній курсовій роботі досліджено ефективність використання напівпровідникових смужкового ПГС та РО ПГС лазерів. Проведено відповідні розрахунки основних параметрів, які дають змогу кількісно оцінити найважливіші характеристики порівнюваних лазерів та зробити висновок про доцільність їх використання з метою перетворення енергії накачування в енергію когерентного, монохроматичного, поляризованого та вузько напрямленого потоку випромінювання. З урахуванням поширеності використання напівпровідникових лазерів в різних сферах, проведений аналіз є корисним і дає можливість, на прикладі РО ПГС лазера, аргументовано говорити про важливість вивчення квантових явищ для подальшого розвитку лазерної техніки.

 

Київ 2015