UA RU EN
Фізико-технічний інститут
Кафедра Прикладної фізики
<Головна Кафедра Навчання Наука Форум Download Новини Мапа>

Стронський Олександр Володимирович,

Сторінка в системі Intellect.kpi.ua

доктор фіз.-мат. наук, старший науковий співробітник.
Закінчив в 1972 році Київський університет ім. Т.Шевченка по спеціальності "оптичні прилади і спектроскопія".







На поточний момент викладає:

  • Фізика наноструктур;
  • Нелінійна оптика;
  • Інтегральна і волоконна оптика,
  • Квантова електроніка;
  • Фізика і хімія поверхні.

Наукові інтереси:

Дослідженнями оптичних властивостей, фотостимульованих процесів у халькогенідних склоподібних напівпровідниках, інших напівпровідниках та їх застосуванню в оптиці, оптоелектроніці та голографії.

Тематика наукових проектів , що виконувались та виконуються на поточний момент:

  • НДР № 58 1.3.7.2; 1.3.7.9 "Дослідження фотостимульованих процесів в тонкоплівкових реєструючих структурах на основі склоподібних напівпровідників" 1.01.1990-1.12.1994 (затверджена Постановою бюро Відділення фізики і астрономії АН УРСР від 19.12.89, Протокол №10, Постанова ДКНТ №89 від 14.02.90) номер державної реєстрації 01.91.0025881;
  • НДР №23 "Дослідження і моделювання нерівноважних електронних процесів масопереноса і стимульованих структурно-фазових перетворень на поверхні напівпровідників та шаруватих структур; розробка на їх основі нових пристроїв та технологій", 1.01.1995-31.12.1996 (затверджена Постановою бюро Відділення фізики і астрономії АН УРСР від 20.12.94, Протокол №9) номер державної реєстрації 0195U008108;
  • Державна програма розвитку виробництва тари та пакувальних матеріалів на період до 2000 року (Постанова Кабінету Міністрів України від 25.09.1995 №760).
  • НДР № 8 1.3.7.5; 1.3.7.2 "Фізичні і фізико-технологічні основи створення напівпровідникових матеріалів і функціональних елементів для систем сенсорної електроніки" (затверджена Постановою відділення фізики і астрономії НАН України, від 16.11.99р.), протокол №12, номер державної реєстрації 0100U000148.
  • НДР "Механізми утворення напівпровідникових наногетеросистем та самоорганізація в матеріалах для структур та елементів оптоелектроніки" номер державної реєстрації 0103U00365
  • НДР "Дослідження механізмів генерації та перетворення випромінювання в напівпровідникових низько розмірних електронних і фотонних системах" номер державної реєстрації 0106U00993

Міжнародні наукові проекти:

  • 1997-1998р., Пардубіце, Чехія.
  • 2002-2003р., Кембридж, Велика Британія.

Публікації

Понад 200 наукових праць.
Стронський О.В. - вибрані наукові публікації (1991-2007):
  1. Indutnyi I.Z., Kostishin M.T., Romanenko P.F., Stronski A.V. Recording of holographic diffraction gratings on lightsensitive metal - semiconductur systems // Journ.Inform.Recording Materials (Germany), 1991, v.19, N3, P. 251-260.
  2. Romanenko P.F., Robur I.I., Stronski A.V. Recording of low-frequency holographic diffraction gratings on aresenic triselenide layers // Ukrainian Journal of Physics (in Russian).-1991.-v.36, N7.- P.2028-2031.
  3. Indutnyi I.Z., Robur I.I., Romanenko P.F., Stronski A.V. Formation of holographic optical elements in the lightsensitive structures on the base of chalcogenide semiconductors // In Collection "Fundamental bases of optical memory and media " (in Russian), Kiev, "Vyscha shkola".-1991.-I.22.- P.3-11.
  4. Romanenko P.F., Stronski A.V., Seleznev V.A., Robur I.I., Saenko V.Ya., Zinchenko N.A On the possibility of spectral characteristics control of the holographic diffraction gratings on the base of chalcogenide semiconductors // In Collection "Fundamental bases of optical memory and media " (in Russian), Kiev, "Vyscha shkola".-1991.-I.22.- P.16-20.
  5. Stronski A.V., Romanenko P.F., Robur I.I., Induntyi I.Z., Shepeljavi P.E., Kostioukevitch S.A. Recording of holographic optical elements on As-S-Se layers // Journal of Information Recording Materials -1993.-V.20, N6.-P.541-546.
  6. Romanenko P.F., Robur I.I., Stronski A.V., Study of the recording processes of holographic diffraction gratings on As2Se3 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1994, I.27.-P.47-50.
  7. Romanenko P.F., Robur I.I., Stronski A.V., Indutnyi I.Z., Severin V.S., Stetsenko V.I.,Shepelyavi P.E. Study of fabrication processes of diffraction lenses by holographic method // In Collection "Quantum Electronics ".(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1994, I.46.- P.11-16.
  8. Induntyi I.Z., Stronski A.V., Kostioukevitch S.A., Romanenko P.F., Shepeljavi P.E., Robur I.I. Holographic optical element fabrication using chalcogenide layers // Optical Engineering.-1995.-V.34, N4.- P.1030-1039.
  9. Shepeljavi P.E., Stronski A.V., Induntyi I.Z., Minko V.I., Robur I.I. Fabrication of holographic diffraction gratings with the sinusoidal groove profile on the base of As40S20Se40 layers // Opt. Eng.Bull.-1996.- N2-3 (10-11).- P.40-42.
  10. Stronski A.V. Peculiarities of periodic relief fabrication on the base of As40S60 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1997.-I.32.- P.95-98.
  11. Stronski A.V. Photoinduced processes in As40S30Se30 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1997.-I.32.- P.58-61.
  12. Stronski A.V. Optical properties and photoinduced processes in As38S62 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1998.-I.33.- P.160-163.
  13. Vlcek M, Stronski A.V., Shepeljavi P.E. Multicomponent chalcogenide inorganic resists: properties and applications in diffractive optics // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1998.-I.33.- P.137-141.
  14. Gonzalez-Leal J.M., Marquez E., Prieto-Alcon R., Vlcek M., Stronski A. and Wagner T. Optical characterization of thermally evaporated thin films of the As40S40Se20 ternary chalcogenide glass by reflectance measurements // J.Appl.Phys.-1998.-V.A67, N3.-P.371-378.
  15. Wagner T., Kasap S.O., Vlcek M., Sklenar A., Stronski A.V. The structure of AsxS100-x glasses studied by modulated temperature differential scanning calorimetry and Raman spectroscopy // J.Non.Cryst.Solids.-1998.-227-230.- P.752-756.
  16. Stronski A.V. Production of metallic patterns with the help of highresolution inorganic resists // "Microelectronic Interconnections and Assembly" NATO ASI Series, 3. High Technology-G.Harman@P.Mach Editors "Kluwer academic publishers", Netherlands.-1998.-V.54.- P.263-293.
  17. Wagner T., Kasap S.O., Vlcek M., Sklenar A., Stronski A.V. Тemperature-modulated differential scanning calorimetry and raman spectroscopy studies of AsxS100-x glasses // Journal of Material Science.-1998.-V.33, I.23.-P.5581-5588.
  18. Stronski A.V., Vlcek M., Stetsun A.I, Sklenar A., Shepeljavi P.E. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-1999.-V.2, N2.-P. 63-68.
  19. Stronski A.V., Vlcek M., Shepeljavi P.E., Sklenar A., Kostioukevitch S.A. Image formation properties of As40S20Se40 thin layers in application for gratings fabrication // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-1999.-V.2, N1.-P.111-114.
  20. Stronski A.V., Vlcek M., Sklenar A., Romanenko P.F., Kotioukevitch S.A. Lightsensitive properties of As40Se60 layers// In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".- 1999.-I.34, P.65-71.
  21. Vlcek M., Stronski A., Sklenar A., Wagner T. and Kasap S.O. Structure and Imaging properties of As40S60-XSeX layers as a function of their composition // J.Non-Cryst.Solids..-2000.-V.266-269, I.1-3.-P.964-968.
  22. Stronski A., Vlcek M., Sklenar A., Shepeljavi P.E., Kostyukevich S.A., Wagner T. Application of As40S60-XSeX layers for high efficiency gratings production // J.Non-Cryst.Solids.-2000.-V.266-269, I.1-3.-P.973-978.
  23. Stronski A., Vlcek M., Sklenar A. Image formation properties of As-S thin layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-2000.-V.3, N3.- P.394-399.
  24. Stronski A.V., Vlcek M., Stetsun A.I., Sklenar A., Shepeljavi P.E. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped As40S60-XSeX films // J.Non-Cryst.Sol..-2000.- V.270, I.1-3.-P.129-136.
  25. Stronski A., Vlcek M. Imaging properties of As40S40Se20 layers // Optoelectronics Review .-2000.-V.8, N3.-P.263-267.
  26. Stronski A., Romanenko P.F. Characteristics of high-frequency holographic diffraction gratings on the base of As2Se3 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-2000.-I.35.- P.54-57.
  27. Stronski A., Vlcek M., Sklenar A. Peculiarities of photostimulated processes in As40S20Se40 -Ag systems // Problems of atomic science and technique (in Russian).-2000.-№5.- P. 87-90.
  28. Stronski A.V. Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-2001.-V.4, N1.- P. 57-62.
  29. Stronski A.V., Vlcek M., Oleksenko P.F. Fourier Raman spectroscopy studies of As40S60-XSeX glasses // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-2001.-V.4, N2.- P. 83-86.
  30. A.V.Stronski, M.Vlcek, S.A.Kostyukevich, V.M.Tomchuk, E.V.Kostyukevich, S.V.Svechnikov,A.A.Kudryavtsev,N.L.Moskalenko, A.A.Koptyukh Study of non-reversible photostructural transformations in As40S60-XSeX layers applied for fabrication of holographic protective elements // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics.- 2002.-v.5, N3, P.284-287.
  31. A.V.Stronski, M.Vlcek Photosensitive properties of chalcogenide vitreous semiconductors in diffractive and holographic technologies applications // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials .-2002.-v.4.- N3, P.699-704.
  32. P.F.Romanenko, V.I.Minko, A.V.Stronski Characteristics of copies of diffraction gratings obtained from ones on the base of chalcogenide vitreous semiconductors // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-2003.- I38., P.114-117.
  33. J. M. Gonzalez-Leal, Mir. Vlcek, R. Prieto-Alcon, A. Stronski, T. Wagner and E. Marquez Thermal relaxation of the structural and optical properties of amorphous As40S60-xSex films // J.Non-Cryst.Solids.- 2003.- Vol. 326-327, P. 146-153.
  34. N.Mateleshko, M.Vlcek, A.Stronski, V.Mitsa, F.Billes Raman spectra of As-S(Se) glasses and sulphide (selenide) clusters // Functional Materials.-2003.- v.10, N2.-P.270-272.
  35. N.Mateleshko, V.Mitsa, M.Koos, A.Stronski An investigation of nanophase separation in IR optical glasses by resonant Raman scattering // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics.- 2004, v.7, N2, P.171-174.
  36. А.В.Стронский,С.А.Костюкевич,Г.А.Сукач,Ю.Н.Гаврилюк Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников для записи, хранения и передачи информации // Вісник державного університету ін формаційно-комунікаційних технологій 2004.-Т.2, №4, С.226-237.
  37. А.В.Стронский Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в голографии, оптоэлектронике и информационных технологиях // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-2004.-В39, С73-96.
  38. M.V.Sopinskyy, P.E.Shepeliavi, A.V.Stronski, E.F.Venger Ellipsometry and AFM study of post-deposition transformations in vacuum-evaporated As-S-Se films // Journal of Optoelectronics and Advanced materials.-2005-v.7, N5, P.2255-2266.
  39. A.V.Stronski, M.V.Sopinskyy,M.Vlcek Optical properties of As-Ge-Se layers // Chalcogenide Letters, 2005, v.2, N11.-P.109-112.
  40. М.В.Сопінський,О.В.Стронський, П.Є.Шепелявий Динаміка післяконден-саційної трансформа- ції термонапилених плівок бінарних та псе- вдобінарних халькоге- нідних скловидних сполук As2S3-XSeX. // Вісник ЧНУ.-2006.-268 (Фізика.Електроніка), С.89-92.
  41. П.О.Генцарь, О.І.Власенко, О.В.Стронський Внесок поверхні в ефект електрохідбиван-ня і його відокремлення з використанням поля-ризаційної (тензорної) анізотропії електрооптичного ефекту в // Нові технології.-Науковий вісник КУЕІТУ.-2006.-№2(12)-С.-26-32
  42. О.М.Камуз, П.Ф.Олексенко, В.Г.Камуз, О.В.Стронський, О.О.Камуз Просторова самоорганізація квантових точок при фотогідромодифікації напівпровідників // Нові технології.-Науковий вісник КУЕІТУ.-2006.-№2(12)-С.-45-47.
  43. О.В.Стронський, А.М.Морозовська, О.О.Ільїн, О.О.Камуз Особливості процесів селективного травлення в шарах ХСН // Нові технології.-Науковий вісник КУЕІТУ.-2006.-№2(12)-С.-36-44.
  44. П.О. Генцарь., О.І. Власенко., О.В. Стронський Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок n-GaP методом модуляційної спектроскопії електровідбивання // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Том 7, № 4. - С. 780-784.
  45. П.О. Генцарь., О.І. Власенко., О.В. Стронський Оптичні та фізичні явища в приповерхневому шарі a-ZnP2 // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Том 8, № 1. - С. 48-52.
  46. L.A.Ageev, V.K.MiloslavskyE.D.MakovetskyK.S.Beloshenko, A.V.Stronsky Thermostimulated implantation of nanoscaled Ag particles into a quartz glass using a CO2 laser beam // Functional Materials.-2007.-V.14,N1.-P.24-31
  47. Е.Ф.Венгер, А.В.Мельничук, А.В.Стронский Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение.-Академпериодика.-2007. (монография).

Хобі:

Шахи, науковий туризм.