Ой, сталась помилка! А де ж JavaScript? Схоже, що Ваш переглядач не підтримує технологію JavaScript або її вимкнено. Будь ласка, увімкніть JavaScript для коректного відображення цього сайту, або використайте іншого переглядача інтернет сторінок, який має підтримку JavaScript.
Блог

Публікації

sov001122sov001122 Додано 3 рік тому

Профіль у Google Scholar

Понад 200 наукових праць.
Стронський О.В. - вибрані наукові публікації (1991-2007):

Indutnyi I.Z., Kostishin M.T., Romanenko P.F., Stronski A.V. Recording of holographic diffraction gratings on lightsensitive metal - semiconductur systems // Journ.Inform.Recording Materials (Germany), 1991, v.19, N3, P. 251-260.

Romanenko P.F., Robur I.I., Stronski A.V. Recording of low-frequency holographic diffraction gratings on aresenic triselenide layers // Ukrainian Journal of Physics (in Russian).-1991.-v.36, N7.- P.2028-2031.

Indutnyi I.Z., Robur I.I., Romanenko P.F., Stronski A.V. Formation of holographic optical elements in the lightsensitive structures on the base of chalcogenide semiconductors // In Collection "Fundamental bases of optical memory and media " (in Russian), Kiev, "Vyscha shkola".-1991.-I.22.- P.3-11.

Romanenko P.F., Stronski A.V., Seleznev V.A., Robur I.I., Saenko V.Ya., Zinchenko N.A On the possibility of spectral characteristics control of the holographic diffraction gratings on the base of chalcogenide semiconductors // In Collection "Fundamental bases of optical memory and media " (in Russian), Kiev, "Vyscha shkola".-1991.-I.22.- P.16-20.

Stronski A.V., Romanenko P.F., Robur I.I., Induntyi I.Z., Shepeljavi P.E., Kostioukevitch S.A. Recording of holographic optical elements on As-S-Se layers // Journal of Information Recording Materials -1993.-V.20, N6.-P.541-546.

Romanenko P.F., Robur I.I., Stronski A.V., Study of the recording processes of holographic diffraction gratings on As2Se3 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1994, I.27.-P.47-50.

Romanenko P.F., Robur I.I., Stronski A.V., Indutnyi I.Z., Severin V.S., Stetsenko V.I.,Shepelyavi P.E. Study of fabrication processes of diffraction lenses by holographic method // In Collection "Quantum Electronics ".(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1994, I.46.- P.11-16.

Induntyi I.Z., Stronski A.V., Kostioukevitch S.A., Romanenko P.F., Shepeljavi P.E., Robur I.I. Holographic optical element fabrication using chalcogenide layers // Optical Engineering.-1995.-V.34, N4.- P.1030-1039.

Shepeljavi P.E., Stronski A.V., Induntyi I.Z., Minko V.I., Robur I.I. Fabrication of holographic diffraction gratings with the sinusoidal groove profile on the base of As40S20Se40 layers // Opt. Eng.Bull.-1996.- N2-3 (10-11).- P.40-42.

Stronski A.V. Peculiarities of periodic relief fabrication on the base of As40S60 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1997.-I.32.- P.95-98.

Stronski A.V. Photoinduced processes in As40S30Se30 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1997.-I.32.- P.58-61.

Stronski A.V. Optical properties and photoinduced processes in As38S62 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1998.-I.33.- P.160-163.

Vlcek M, Stronski A.V., Shepeljavi P.E. Multicomponent chalcogenide inorganic resists: properties and applications in diffractive optics // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-1998.-I.33.- P.137-141.

Gonzalez-Leal J.M., Marquez E., Prieto-Alcon R., Vlcek M., Stronski A. and Wagner T. Optical characterization of thermally evaporated thin films of the As40S40Se20 ternary chalcogenide glass by reflectance measurements // J.Appl.Phys.-1998.-V.A67, N3.-P.371-378.

Wagner T., Kasap S.O., Vlcek M., Sklenar A., Stronski A.V. The structure of AsxS100-x glasses studied by modulated temperature differential scanning calorimetry and Raman spectroscopy // J.Non.Cryst.Solids.-1998.-227-230.- P.752-756.

Stronski A.V. Production of metallic patterns with the help of highresolution inorganic resists // "Microelectronic Interconnections and Assembly" NATO ASI Series, 3. High Technology-G.Harman@P.Mach Editors "Kluwer academic publishers", Netherlands.-1998.-V.54.- P.263-293.

Wagner T., Kasap S.O., Vlcek M., Sklenar A., Stronski A.V. Тemperature-modulated differential scanning calorimetry and raman spectroscopy studies of AsxS100-x glasses // Journal of Material Science.-1998.-V.33, I.23.-P.5581-5588.

Stronski A.V., Vlcek M., Stetsun A.I, Sklenar A., Shepeljavi P.E. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-1999.-V.2, N2.-P. 63-68.

Stronski A.V., Vlcek M., Shepeljavi P.E., Sklenar A., Kostioukevitch S.A. Image formation properties of As40S20Se40 thin layers in application for gratings fabrication // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-1999.-V.2, N1.-P.111-114.

Stronski A.V., Vlcek M., Sklenar A., Romanenko P.F., Kotioukevitch S.A. Lightsensitive properties of As40Se60 layers// In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".- 1999.-I.34, P.65-71.

Vlcek M., Stronski A., Sklenar A., Wagner T. and Kasap S.O. Structure and Imaging properties of As40S60-XSeX layers as a function of their composition // J.Non-Cryst.Solids..-2000.-V.266-269, I.1-3.-P.964-968.

Stronski A., Vlcek M., Sklenar A., Shepeljavi P.E., Kostyukevich S.A., Wagner T. Application of As40S60-XSeX layers for high efficiency gratings production // J.Non-Cryst.Solids.-2000.-V.266-269, I.1-3.-P.973-978.
Stronski A., Vlcek M., Sklenar A. Image formation properties of As-S thin layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-2000.-V.3, N3.- P.394-399.
Stronski A.V., Vlcek M., Stetsun A.I., Sklenar A., Shepeljavi P.E. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped As40S60-XSeX films // J.Non-Cryst.Sol..-2000.- V.270, I.1-3.-P.129-136.
Stronski A., Vlcek M. Imaging properties of As40S40Se20 layers // Optoelectronics Review .-2000.-V.8, N3.-P.263-267.
Stronski A., Romanenko P.F. Characteristics of high-frequency holographic diffraction gratings on the base of As2Se3 layers // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-2000.-I.35.- P.54-57.
Stronski A., Vlcek M., Sklenar A. Peculiarities of photostimulated processes in As40S20Se40 -Ag systems // Problems of atomic science and technique (in Russian).-2000.-№5.- P. 87-90.
Stronski A.V. Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-2001.-V.4, N1.- P. 57-62.
Stronski A.V., Vlcek M., Oleksenko P.F. Fourier Raman spectroscopy studies of As40S60-XSeX glasses // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.-2001.-V.4, N2.- P. 83-86.
A.V.Stronski, M.Vlcek, S.A.Kostyukevich, V.M.Tomchuk, E.V.Kostyukevich, S.V.Svechnikov,A.A.Kudryavtsev,N.L.Moskalenko, A.A.Koptyukh Study of non-reversible photostructural transformations in As40S60-XSeX layers applied for fabrication of holographic protective elements // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics.- 2002.-v.5, N3, P.284-287.
A.V.Stronski, M.Vlcek Photosensitive properties of chalcogenide vitreous semiconductors in diffractive and holographic technologies applications // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials .-2002.-v.4.- N3, P.699-704.
P.F.Romanenko, V.I.Minko, A.V.Stronski Characteristics of copies of diffraction gratings obtained from ones on the base of chalcogenide vitreous semiconductors // In Collection "Optoelectronics and semiconductor technique"(in Russian).-Kiev.-"Naukova dumka".-2003.- I38., P.114-117.
J. M. Gonzalez-Leal, Mir. Vlcek, R. Prieto-Alcon, A. Stronski, T. Wagner and E. Marquez Thermal relaxation of the structural and optical properties of amorphous As40S60-xSex films // J.Non-Cryst.Solids.- 2003.- Vol. 326-327, P. 146-153.
N.Mateleshko, M.Vlcek, A.Stronski, V.Mitsa, F.Billes Raman spectra of As-S(Se) glasses and sulphide (selenide) clusters // Functional Materials.-2003.- v.10, N2.-P.270-272.
N.Mateleshko, V.Mitsa, M.Koos, A.Stronski An investigation of nanophase separation in IR optical glasses by resonant Raman scattering // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics.- 2004, v.7, N2, P.171-174.
А.В.Стронский,С.А.Костюкевич,Г.А.Сукач,Ю.Н.Гаврилюк Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников для записи, хранения и передачи информации // Вісник державного університету ін формаційно-комунікаційних технологій 2004.-Т.2, №4, С.226-237.
А.В.Стронский Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в голографии, оптоэлектронике и информационных технологиях // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-2004.-В39, С73-96.
M.V.Sopinskyy, P.E.Shepeliavi, A.V.Stronski, E.F.Venger Ellipsometry and AFM study of post-deposition transformations in vacuum-evaporated As-S-Se films // Journal of Optoelectronics and Advanced materials.-2005-v.7, N5, P.2255-2266.
A.V.Stronski, M.V.Sopinskyy,M.Vlcek Optical properties of As-Ge-Se layers // Chalcogenide Letters, 2005, v.2, N11.-P.109-112.
М.В.Сопінський,О.В.Стронський, П.Є.Шепелявий Динаміка післяконден-саційної трансформа- ції термонапилених плівок бінарних та псе- вдобінарних халькоге- нідних скловидних сполук As2S3-XSeX. // Вісник ЧНУ.-2006.-268 (Фізика.Електроніка), С.89-92.
П.О.Генцарь, О.І.Власенко, О.В.Стронський Внесок поверхні в ефект електрохідбиван-ня і його відокремлення з використанням поля-ризаційної (тензорної) анізотропії електрооптичного ефекту в // Нові технології.-Науковий вісник КУЕІТУ.-2006.-№2(12)-С.-26-32
О.М.Камуз, П.Ф.Олексенко, В.Г.Камуз, О.В.Стронський, О.О.Камуз Просторова самоорганізація квантових точок при фотогідромодифікації напівпровідників // Нові технології.-Науковий вісник КУЕІТУ.-2006.-№2(12)-С.-45-47.
О.В.Стронський, А.М.Морозовська, О.О.Ільїн, О.О.Камуз Особливості процесів селективного травлення в шарах ХСН // Нові технології.-Науковий вісник КУЕІТУ.-2006.-№2(12)-С.-36-44.
П.О. Генцарь., О.І. Власенко., О.В. Стронський Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок n-GaP методом модуляційної спектроскопії електровідбивання // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - Том 7, № 4. - С. 780-784.
П.О. Генцарь., О.І. Власенко., О.В. Стронський Оптичні та фізичні явища в приповерхневому шарі a-ZnP2 // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - Том 8, № 1. - С. 48-52.
L.A.Ageev, V.K.MiloslavskyE.D.MakovetskyK.S.Beloshenko, A.V.Stronsky Thermostimulated implantation of nanoscaled Ag particles into a quartz glass using a CO2 laser beam // Functional Materials.-2007.-V.14,N1.-P.24-31
Е.Ф.Венгер, А.В.Мельничук, А.В.Стронский Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение.-Академпериодика.-2007. (монография).

Опис sov001122

Я Адміністратор цього сайтуМене зареєстровано на цьому сайті 19.06.16. .

0 коментар

Коментувати

Щоб отримати можливість додавання коментарів, будь ласка, спочатку авторизуйтесь на сайті через власний обліковий запис.
  • Коментарі відсутні


Доступ до оцінювання мають лише зареєстровані користувачі. Будь ласка, Вхід to vote.
Чудово! (0)0 %
Добре (0)0 %
Нормально (0)0 %
Задовільно (0)0 %
Погано (0)0 %