опубліковано лютий 03 2016 в Курсові роботи та 0 коментарів

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Темченко К.В.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

Напівпровідникові лазери мають відмінні від інших типів лазерів властивості, які сприяли їх масовому застосовуванню. В даній роботі було проведено розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів: лазера на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазера з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС). В результаті отримано характеристики спектру випромінювання, порогову густину струму та ККД лазерів. Отримані значення характеристик для ПГС та РО ПГС лазерів доводять, що використання РО ПГС лазера є більш ефективним. Наведені висновки співпадають з експериментальними результатами. Роль квантових приладів та систем невпинно росте, що доводить необхідність застосування лазерів в різних галузях науки і техніки.

 

Київ 2015




Додати коментар

Щоб отримати можливість додавання коментарів, будь ласка, спочатку авторизуйтесь на сайті через власний обліковий запис.
Коментарі відсутні
Доступ до оцінювання мають лише зареєстровані користувачі. Будь ласка, перейдіть на сторінку Вхід або Реєстрація щоб поставити оцінку.
Чудово! ()0 %
Добре ()0 %
Нормально ()0 %
Задовільно ()0 %
Погано ()0 %