опубліковано лютий 03 2016 в Курсові роботи та 0 коментарів

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика
Косячкін Є.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В ході даної роботи було проведено дослідження та порівняння двох напівпровідникових інжекційних лазерів на подвійній гетероствуктурі AlGaAs/GaAs/AlGaAs. Розглянуті смужковий інжекційний лазер на подвійній гетероструктурі (ПГС) та лазер з роздільним електронним та оптичним обмеженням (РО ПГС). Якісною відмінністю другого від першого є те, що в робочій зоні РО ПГС лазера при його створенні виникає квантоворозмірна структура (квантова яма), що обмежує носії заряду в одному напрямку й відбувається квантування енергії. Основними вимогами для лазерів є легка можливість створення робочого стану (інверсної населеності), що визначається пороговою щільністю струму накачки, та вихідні характеристики (потужність, спрямованість променя, ККД). Результати розрахунків в цій роботі показують, що перевагу ( за всіма розглянутими параметрами цих лазерів) здобуває РО ПГС лазер, що свідчить про доцільність використання квантових технологій при побудові напівпровідникових лазерів, адже такі лазери значно ефективніші за ПГС лазери.

 

Київ 2015




Додати коментар

Щоб отримати можливість додавання коментарів, будь ласка, спочатку авторизуйтесь на сайті через власний обліковий запис.
Коментарі відсутні
Доступ до оцінювання мають лише зареєстровані користувачі. Будь ласка, перейдіть на сторінку Вхід або Реєстрація щоб поставити оцінку.
Чудово! ()0 %
Добре ()0 %
Нормально ()0 %
Задовільно ()0 %
Погано ()0 %