опубліковано лютий 03 2016 в Курсові роботи та 0 коментарів

Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів

Національний технічний університет України

"Київський політехнічний інститут"

Кафедра прикладної фізики

 

КУРСОВА РОБОТА з оптоелектроніки

на тему: «Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів»

 

Виконав: студент IV курсу групи ФФ21

напряму підготовки 6.040204 Прикладна фізика Кучкін В.М.

Прийняла: к.т.н., доц. Іванова В.В.

 

Анотація

В даній роботі досліджено характеристики інжекційних лазерів на подвійній гетероструктурі. Головною особливістю таких лазерів є використання напівпровідникових матеріалів в якості активної речовини. Як відомо, для таких лазерів характерні високі ККД. В роботі досліджуються гетереструктура Alx1Ga1-x1As/GaAs/ Alx2Ga1-x2As, яка може бути використана для створення лазерів. В першій частині роботи розраховуються параметри гетеропереходу та характеристики лазерного випромінювання для даної гетероструктури. В другій частині роботи розглядається квантова яма, створена за рахунок тонкого слою GaAs. Для цього випадку також будуються відповідні діаграми та розраховуються параметри лазерного випромінювання. Останній етап це порівняння двох типів структур на можливість створення більш ефективного лазера. Одними із ключових характеристик тут є робоча густина струму та КПД.

 

Київ 2015




Додати коментар

Щоб отримати можливість додавання коментарів, будь ласка, спочатку авторизуйтесь на сайті через власний обліковий запис.
Коментарі відсутні
Доступ до оцінювання мають лише зареєстровані користувачі. Будь ласка, перейдіть на сторінку Вхід або Реєстрація щоб поставити оцінку.
Чудово! ()0 %
Добре ()0 %
Нормально ()0 %
Задовільно ()0 %
Погано ()0 %